Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜ＮＯＲフラッシュの代替狙い ＳａｍｓｕｎｇがＰＲＡＭ開発
日経エレクトロニクス 第936号 2006.10.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第936号（2006.10.9） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2958字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （290kb） |
| 雑誌掲載位置 | 42〜43ページ目 |
記憶素子に相変化膜を用いた不揮発性メモリであるＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）が離陸する。メモリ世界最大手の韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．が５１２Ｍビット品を開発，２００８年初頭にも実用化する方針を明らかにした（図１）。現在，携帯電話機やデジタル民生機器などのプログラム格納用として広く使われているＮＯＲフラッシュ・メモリ…
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