Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜 ２０ｎｍ，２５６Ｇに向け Ｓａｍｓｕｎｇがフラッシュ一新
日経エレクトロニクス 第935号 2006.9.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第935号（2006.9.25） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1344字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （172kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．がＮＡＮＤフラッシュ・メモリの大容量化でまたしても先陣を切った。２００６年９月に，４０ｎｍ世代の半導体技術で製造する３２Ｇビット品を開発したと発表したのだ。ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの容量を３２Ｇビットに高めたことで，最大６４Ｇバイトの小型メモリ・カードを実現できるという。これだけの容量があれば，ＤＶＤ品質の映像を６４時間以上，ＭＰ３形…
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