What’s New〜日立の半導体レーザ 直接変調でも40Gビット/秒
日経エレクトロニクス 第934号 2006.9.11
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第934号(2006.9.11) |
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ページ数 | 2ページ (全2604字) |
形式 | PDFファイル形式 (222kb) |
雑誌掲載位置 | 40〜41ページ目 |
「一般には高速化が難しいとされる直接変調型の半導体レーザにおいて,40Gビット/秒の動作に成功した。実用化で重視される発振しきい値電流の低さは,世界トップ・レベルにある」(日立製作所 中央研究所 光デバイス研究プロジェクト 主任研究員の中原宏治氏)。日立製作所がこう胸を張るのが,GaInNAs活性層を用いた直接変調方式の半導体レーザである1)。直接変調は,変調した電気信号をレーザに直接加えて発振…
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