Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ＧａＮ ＨＥＭＴ〜ドレイン効率は３Ｇ帯域で最大６７％
日経エレクトロニクス 第929号 2006.7.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第929号（2006.7.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全334字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （290kb） |
| 雑誌掲載位置 | 57ページ目 |
ＧａＮ ＨＥＭＴＲＦ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ社 米ＲＦ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ社は，ＧａＮ系半導体材料を使ったＨＥＭＴのサンプル出荷を始めた。第３世代携帯電話やＷｉＭＡＸの基地局に向ける。アンプ回路に使った場合，投入電力が高周波出力電力に変換されるときの効率（ドレイン効率）は第３世代携帯電話の周波数帯域で最大６７％，ＷｉＭＡＸの周波数帯域で同６０％。電源電圧２８Ｖのときの利得は１６ｄＢで，…
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