Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜Ｓｉ貫通電極使う ＮＡＮＤフラッシュ
日経エレクトロニクス 第925号 2006.5.8
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第925号（2006.5.8） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全507字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （386kb） |
| 雑誌掲載位置 | 42ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，Ｓｉ貫通電極を使ってＭＣＰ（ｍｕｌｔｉ−ｃｈｉｐ ｐａｃｋａｇｅ）化したＮＡＮＤフラッシュ・メモリを開発した。２００７年初頭にメモリ・カードとして製品化する。今後，サーバー向け高速ＤＲＡＭなどにもＳｉ貫通電極技術を導入する計画だ。Ｓｉ貫通電極は，ＬＳＩチップに開けた穴に電極を形成し，これを介して複数のチップを相互接続するＳｉＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ …
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