Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜低電力ＬＳＩ用６５ｎｍ技術に ＩｎｔｅｌやＩＢＭ連合が参戦
日経エレクトロニクス 第915号 2005.12.19
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第915号（2005.12.19） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2645字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （222kb） |
| 雑誌掲載位置 | 32〜33ページ目 |
２００５年１２月５日〜７日に米国ワシントンＤＣで開催された半導体製造技術関連の国際学会「２００５ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００５ ＩＥＤＭ）」では，論理ＬＳＩ用の先端微細加工技術に関する発表が注目を集めた（表１）。ゲート長が１０ｎｍ未満のトランジスタなど，５年以上先の実用を見据えた要素技術が登場する中，とりわけ参加者の関心が高かっ…
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