Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜１ＧビットＮＯＲ型のフラッシュ・メモリ
日経エレクトロニクス 第912号 2005.11.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第912号（2005.11.7） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全248字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （210kb） |
| 雑誌掲載位置 | 49ページ目 |
米Ｓｐａｎｓｉｏｎ社は，２００５年１２月ごろに，１ＧビットＮＯＲ型フラッシュ・メモリ製品「ＧＬ」を発売する。１個のメモリ・セルに２ビットの情報を格納する同社独自の「ＭｉｒｒｏｒＢｉｔ」アーキテクチャを採用しており，９０ｎｍ世代の半導体製造技術で製造する。動作電圧は＋３Ｖで，動作温度範囲は−４０℃〜＋８５℃。５６ピンのＴＳＯＰもしくは６４端子のＦＢＧＡに封止する。 単価は１万個購入時で１８．５米ド…
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