Ｌｅａｄｉｎｇ Ｔｒｅｎｄｓ〜 ４５ｎｍＣＭＯＳや新ＭＲＡＭなど 近未来の半導体が一堂に
日経エレクトロニクス 第911号 2005.10.24
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第911号（2005.10.24） |
|---|---|
| ページ数 | 7ページ （全6985字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （513kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75〜81ページ目 |
半導体技術の国際学会「２００５ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ ２００５）」が２００５年１２月５日〜７日に米国ワシントンＤ．Ｃ．で開催される。６５ｎｍ世代のＣＭＯＳ技術や４Ｇビットのフラッシュ・メモリ，ＵＷＢといった高速通信向けのＲＦ技術など，各社が現在量産に力を注ぐデバイス技術の多くは，実用化前にＩＥＤＭで注目を集めてきた。今回…
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