Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜Ｓａｍｓｕｎｇ社，セル面積 世界最小のＤＲＡＭを試作
日経エレクトロニクス 第903号 2005.7.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第903号（2005.7.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全260字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （243kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，セル面積を０．０２８μｍ２としたスタック型ＤＲＡＭセルを試作した。同社によれば，ＤＲＡＭセルの面積としては世界最小という。設計ルールは６８ｎｍである。同社は，保有する材料技術や製造技術を総動員することで，微細化に伴い深刻になる雑音マージンなどの問題を克服できたという。具体的には，トランジスタ構造を「ＲＣＡＴ」から「Ｓ−ＲＣＡＴ」に変更して，しきい値…
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