Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ＤＲＡＭ ８Ｇバイト／秒が可能なＸＤＲ品，９月に量産
日経エレクトロニクス 第898号 2005.4.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第898号（2005.4.25） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全256字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （215kb） |
| 雑誌掲載位置 | 49ページ目 |
エルピーダメモリは，記憶容量が５１２ＭビットのＸＤＲ ＤＲＡＭ「ＥＤＸ５１１６ＡＢＳＥ」を発売した。１端子当たりのデータ転送速度は最大４Ｇビット／秒。語構成は４Ｍ語×８バンク×１６ビット，最大８Ｇバイト／秒を実現できる。入出力幅は４ビット，８ビットにも変更可能。最小サイクル時間は４０ｎｓ。電源電圧は＋１．８Ｖ±０．０９Ｖ。１０４端子のＦＢＧＡパッケージに封止した。ＴＥＬ（０３）３２８１−１５６３サ…
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