ＮＥＴｓ連載講座 リーク電流はこう抑える（４）〜リーク電流はこう抑える（４） ＋０．７Ｖの低電圧に対応可能な 新型パワー・ゲーティング技術が登場
日経エレクトロニクス 第885号 2004.10.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第885号（2004.10.25） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全5538字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （293kb） |
| 雑誌掲載位置 | 156〜163ページ目 |
セレクティブＭＴＣＭＯＳなど現在までに実用化しているパワー・ゲーティング技術の欠点は，＋０．７Ｖ程度の低電圧で動作させることが難しいことにある。回路技術などの工夫により，こうした低電圧に対応可能な新たなパワー・ゲーティング技術が提案され始めた。（宇野 麻由子＝本誌）桜井 貴康東京大学国際・産学共同研究センター 教授 しきい値電圧の低いトランジスタで構成した回路に直列にスイッチをつないで，待機時に電…
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