Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 実装熱抵抗値を従来比４０％低減
日経エレクトロニクス 第878号 2004.7.19
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第878号（2004.7.19） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全253字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （61kb） |
| 雑誌掲載位置 | 57ページ目 |
ルネサス テクノロジは，実装熱抵抗値が１５℃／Ｗと小さいパワーＭＯＳＦＥＴ「ＬＦＰＡＫ−ｉ」のサンプル出荷を開始した。同社従来品の２５℃／Ｗに対し，４０％低減した。サーバの電源回路などに向ける。動作中に発生する熱を，プリント配線基板側ではなく，パッケージの上面に張り付けるヒートシンクによって逃がす。オン抵抗が異なる３品種を用意した。外形や電極配置は８ピンのＳＯＰと互換。ＴＥＬ（０３）５２０１−５１…
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