Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ ２．７ｍΩとオン抵抗が小さい
日経エレクトロニクス 第877号 2004.7.5
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第877号（2004.7.5） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全242字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （62kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
ルネサス テクノロジは，ノート・パソコンなどの電源管理用スイッチ，または充放電制御回路向けに，ｐチャネル・パワーＭＯＳＦＥＴ「ＨＡＴ１１２５Ｈ」のサンプル出荷を開始した。ゲート−ソース間電圧が＋１０Ｖのときのオン抵抗は標準２．７ｍΩと小さい。同社の従来製品に比べ２５％削減した。ドレイン−ソース間の耐圧は−３０Ｖ，ゲート・ドライブ電圧は−４．５Ｖである。ＴＥＬ（０３）５２０１−５１９１サンプル価格は…
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