Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜耐圧１０００Ｖのパワー半導体，三菱電機が要素技術を開発
日経エレクトロニクス 第875号 2004.6.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第875号（2004.6.7） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全378字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （133kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44ページ目 |
三菱電機は，耐圧性能が１０００Ｖを超える半導体デバイスを実現する技術を開発した。自動車やエアコンなどのモータやインバータなどを制御するＩＰＭ（ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ ｐｏｗｅｒ ｍｏｄｕｌｅ）などへの適用を視野に入れる。半導体デバイスの耐圧性能を数百Ｖ〜１０００Ｖ程度に引き上げる手法としては，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造が有望視されている。しかし，絶縁膜として用いるＳｉ…
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