Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 動作可能な接合温度は最大＋１７５℃
日経エレクトロニクス 第870号 2004.3.29
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第870号（2004.3.29） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全257字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （56kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
米Ｖｉｓｈａｙ Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ社は，接合温度が−５５℃〜＋１７５℃と広い範囲で動作するパワーＭＯＳＦＥＴ「ＴｒｅｎｃｈＦＥＴ Ｐｏｗｅｒ ＭＯＳＦＥＴ」を発売した。整流器などに向ける。放熱性を高めるため，ヒートシンクをパッケージの上側に配置した。動作中に発生する熱はプリント配線基板側ではなく，空中に放射される。オン抵抗が３．７ｍΩ，６．５ｍΩ，９．５ｍΩ，１２ｍΩ，１６ｍΩの５品種を用意した。…
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