Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳ ＦＥＴ オン抵抗が３．６ｍΩと低い
日経エレクトロニクス 第868号 2004.3.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第868号（2004.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全296字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （52kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
米Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐ．は，オン抵抗が３．６ｍΩ（ゲート−ソース間電圧が１０Ｖの場合）と低い車載用パワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＦＤＤ０４４ＡＮ０３Ｌ」「ＦＤＵ０４４Ｎ０３Ｌ」を発売した。ＡＢＳや電動パワーステアリング，スターターなどのモータ制御に向ける。耐電圧は３０Ｖ。動作温度範囲は−５５℃〜＋１７５℃と欧米の信頼性規格「ＡＥＣ−Ｑ１０１」に対応する。パッケージはＴＯ…
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