Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜ＮＥＣ，究極のＡＳＩＣに向け　微細な低抵抗スイッチ開発
日経エレクトロニクス　第868号　2004.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第868号（2004.3.1）
ページ数	2ページ　（全3385字）
形式	PDFファイル形式　（54kb）
雑誌掲載位置	30〜31ページ目

　「論理ＬＳＩのプロセス技術でこのところ大きな進展がない。最先端の技術が集うはずの国際会議でも，目にするのは従来の延長上の技術ばかり。そこで今回，発想をガラリと変えて論理ＬＳＩの新市場を創出できそうな技術を提案した」。　ＮＥＣがこう胸を張って話すのは，物質・材料研究機構や科学技術振興機構と共同で開発した，ＬＳＩに集積できる新型のスイッチ素子技術である。「Ｎａｎｏ−Ｂｒｉｄｇｅ」と呼ぶ。２００４年２…