What’s New〜「使える」界面シミュレータ high−kの界面不良を再現
日経エレクトロニクス 第863号 2003.12.22
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第863号(2003.12.22) |
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ページ数 | 1ページ (全1494字) |
形式 | PDFファイル形式 (89kb) |
雑誌掲載位置 | 31ページ目 |
日立製作所は,半導体薄膜などの界面状態を精度良く予測できるシミュレーション技術を開発した。界面に生じる化合物や,薄膜のはがれやすさなどを短期間で計算できる。 原子層にして10層〜100層,原子の数にして数千万個から成る系を2週間〜4週間で計算する注1)。これは,実験で界面状態を調べる場合の約1/4の所要時間に相当するという。従来のシミュレーション手法では,計算時間から見て原子数千個ほどの計算が限…
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