Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜データ格納用フラッシュＥＥＰＲＯＭ ４Ｍバイト／秒で書き込み可能な２５６Ｍビット品
日経エレクトロニクス 第862号 2003.12.8
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第862号（2003.12.8） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全248字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （86kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
ルネサス テクノロジは，不良セクタ管理などのメモリ管理機能を内蔵した２５６Ｍビットのデータ格納用フラッシュＥＥＰＲＯＭ「ＨＮ２９Ｖ２５６Ａ」を製品化した。携帯電話機やデジタル・カメラなどに向けた。メモリ・セルを変更することで，書き込み時のデータ転送速度を同社従来品の３倍の約４Ｍバイト／秒に高めた。電源電圧は＋３．３Ｖ。０．１３μｍルールで製造した。ＴＥＬ（０３）５２０１−５０２１サンプル価格は１２…
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