Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜超高密度化に向け　ＦｅＲＡＭ新材料を開発
日経エレクトロニクス　第856号　2003.9.15

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第856号（2003.9.15）
ページ数	2ページ　（全3563字）
形式	PDFファイル形式　（158kb）
雑誌掲載位置	30〜31ページ目

　セイコーエプソンが，強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）の分野で他社に先駆ける成果を出した。選択トランジスタを省いたメモリ・セルを使う「クロスポイント型」と呼ばれるメモリ構造に適用可能な新強誘電体材料を開発したのである（図１，表１）。２００３年８月〜９月に開催された「秋季応用物理学会学術講演会」で詳細を明らかにした。「以前はＦｅＲＡＭでクロスポイント構造を実現することは困難と考えていた。しかし，新材料を…