Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜クロック発生器 次世代の「ＸＤＲ」メモリに対応
日経エレクトロニクス 第854号 2003.8.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第854号（2003.8.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全297字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （66kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
米Ｃｙｐｒｅｓｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐ．は，米Ｒａｍｂｕｓ Ｉｎｃ．が開発した次世代インタフェース「ＸＤＲ」に向けたクロック発生器を発売する。ＸＤＲは１端子当たりの転送速度が３．２Ｇ〜６．４Ｇビット／秒と高く，エルピーダメモリや韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．，東芝が対応ＤＲＡＭの開発を進める。４つのクロック発生回路を内蔵。２８ピンのＴＳＳＯＰに封止す…
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