Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜Ｓａｍｓｕｎｇが構造を変更 ８８ｎｍで５１２Ｍ ＤＲＡＭ
日経エレクトロニクス 第851号 2003.7.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第851号（2003.7.7） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1719字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （33kb） |
| 雑誌掲載位置 | 39ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．は，新構造の５１２ＭビットＤＲＡＭを８８ｎｍの最小加工寸法を使って試作した結果を２００３年６月に開催された半導体製造技術の国際会議「２００３ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で公表した。８８ｎｍの最小加工寸法はこれまで半導体国際会議で報告された単体ＤＲＡＭの大規模試作チップの中で最小という。 最小加工寸法が９０…
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