Ｇｕｅｓｔ Ｐａｐｅｒ〜＋１Ｖ電源で動く ＲＦトランシーバＬＳＩを開発
日経エレクトロニクス 第850号 2003.6.23
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第850号（2003.6.23） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全13529字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （351kb） |
| 雑誌掲載位置 | 135〜144ページ目 |
束原 恒夫宇賀神 守山岸 明洋小舘 淳一原田 充ＮＴＴ マイクロシステムインテグレーション研究所 スマートデバイス研究部 高周波回路技術応用研究グループＮＴＴは，電源電圧を＋１Ｖに抑えた無線通信用ＣＭＯＳ回路を開発した。これを使ってＢｌｕｅｔｏｏｔｈのＲＦトランシーバＬＳＩを試作したところ，動作時の消費電力を従来に比べてほぼ半減できた。具体的には５０ｍＷ以下で通信できる。受信感度などの特性は，既存…
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