Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜フラッシュＥＥＰＲＯＭ ２Ｇ／４Ｇビットの大容量品
日経エレクトロニクス 第845号 2003.4.14
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第845号（2003.4.14） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全289字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （52kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
東芝は，記憶容量が２Ｇビットと大容量のＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭを発売した。０．１３μｍのＣＭＯＳ技術を用いて製造する。電源電圧は＋２．７Ｖ〜＋３．６Ｖ。アクセス時間は初回が５μｓ，連続して読み出す場合は５０ｎｓ。書き込み時間は１ページ（５２８バイト）当たり１ｍｓ，消去時間は１ブロック（３２Ｋバイト）当たり２ｍｓである。同チップを２個積層した４Ｇビットのパッケージも用意した。ＴＥＬ（０３）３…
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