Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 実装面積を従来比８０％削減
日経エレクトロニクス 第844号 2003.3.31
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第844号（2003.3.31） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全284字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （48kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は，２．２５ｍｍ×１．５ｍｍ×０．８ｍｍと小さいパワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ６１５６」を発売した。２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴを搭載する。携帯電話機やノート・パソコンなどに搭載するＬｉイオン２次電池の保護回路に向ける。独自のＣＳＰ技術「ＦｌｉｐＦＥＴ」を採用し，同社従来品よりも実装面積を８０％削減した。ソース端子間の耐圧は２０Ｖである。オン抵抗は…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全284字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ〜−−機器メーカーと共に ネットワーク端末で 世界一に 荻野 司氏 インターネット総合研究所 取締役 研究開発担当 ユビキタス研究所 所長
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜液晶ドライバＩＣ ２画面を１チップで駆動
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワー・アンプ 実装面積を４０％低減し，高さも１．４ｍｍに
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜携帯電話機向けパワー・アンプ 電力付加効率は最大６０％
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜コネクタ 同社従来品比で７％の薄型化
