Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜ＮＥＣがＭＲＡＭで巻き返し 外部記憶向けの開発で先行
日経エレクトロニクス 第841号 2003.2.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第841号（2003.2.17） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3987字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （72kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜29ページ目 |
磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリＭＲＡＭの研究開発で，これまで米国メーカーの後塵を拝してきた日本メーカーが反撃に打って出た。小型メモリ・カードなどの外部記憶用途向けで，ＮＥＣが他社に先駆ける成果を発表した。 ＮＥＣは，２００３年２月に開催された半導体関連の国際学会「ＩＳＳＣＣ（ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）２００３」で，…
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