Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ スイッチング周波数が２ＭＨｚと高い
日経エレクトロニクス 第840号 2003.2.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第840号（2003.2.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全273字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （53kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は，ＤＣ−ＤＣコンバータの同期整流用のパワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ６６０７」のサンプル出荷を開始した。パソコンのマイクロプロセサの電源回路に向ける。寄生インダクタンスを同社従来品と比べて７０％削減したことで，スイッチング周波数２ＭＨｚを実現した。ドレイン電流はパッケージの温度が＋２５℃の場合に９４Ａ。オン抵抗は３．３ｍΩである。インターナシ…
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