Ｇｕｅｓｔ Ｐａｐｅｒ〜ＩＢＭ社，第３世代 埋め込みＤＲＡＭを開発
日経エレクトロニクス 第839号 2003.1.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第839号（2003.1.20） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全11852字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （346kb） |
| 雑誌掲載位置 | 107〜116ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，実効チャネル長０．０７μｍの「Ｃｕ−１１」プロセスに向けて，第３世代の埋め込みＤＲＡＭマクロを開発した。４０Ｍビットの容量をチップ内に確保できる。ＤＲＡＭを集積することで，ロジックとの間で高いデータ伝送速度を得られる。今回のマクロではＩ／Ｏ数は２５６になる。高速化のためにマルチバンク動作モードと，ＧＮＤプリチャージ法を採用した。ＡＳＩＣ全体をテストするロジックＬＳＩテスタで…
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