Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜セルベースＬＳＩ ９０ｎｍルールを使って ２ＧＨｚを超える
日経エレクトロニクス 第836号 2002.12.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第836号（2002.12.2） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1587字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （86kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
ＮＥＣエレクトロニクスは，設計ルール９０ｎｍ（ゲート長６０ｎｍ）を用いたシステムＬＳＩ設計基盤（セルベースＬＳＩ）「ＣＢ−９０」の開発を完了し，２００３年３月から受注を開始する（図１，表１）。同社が発表済みの半導体プロセス技術「ＵＸ６」を使う。 設計最適化を行うことにより，設計ルールが０．１３μｍ（ゲート長９５ｎｍ）のセルベースＬＳＩ「ＣＢ−１３０」に比べて，集積度を１．９倍（最大１億ゲート）に…
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