Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ オン抵抗を１０％低減
日経エレクトロニクス 第835号 2002.11.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第835号（2002.11.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全277字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （75kb） |
| 雑誌掲載位置 | 56ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は，車載機器などに向けたパワーＭＯＳＦＥＴを発売した。耐圧が３０Ｖ〜７５Ｖの範囲で，ドレイン電流やパッケージが異なる１６品種を用意した。同社従来品と比較してオン抵抗を１０％低減した。いずれの品種も，自動車業界の品質管理基準の「ＱＳ−９０００」に適合する。接合温度範囲は−５５℃〜＋１７５℃。表面実装品と挿入実装品がある。インターナショナル …
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