Ｇｕｅｓｔ Ｐａｐｅｒ〜ＭＲＡＭ実用化への道 書き込み電力削減に挑む
日経エレクトロニクス 第835号 2002.11.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第835号（2002.11.18） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全17747字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （249kb） |
| 雑誌掲載位置 | 127〜138ページ目 |
「すべての半導体メモリを置き換える」。壮大な掛け声の下に産声を上げた磁気抵抗効果を利用する半導体メモリＭＲＡＭの実用化が間近に迫ってきた。大手半導体メーカーによる開発競争も熱を帯びてきている。２００２年半ばにＮＥＣと東芝がＭＲＡＭ開発で提携し，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．やシャープも開発に本腰を入れ始めた。こうした中，米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．と並んでＭＲＡＭ開発で先行し…
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