Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜高速ＤＲＡＭ ランダム・アクセス時間が２０ｎｓと短い
日経エレクトロニクス 第834号 2002.11.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第834号（2002.11.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全310字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （125kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
東芝は，ランダム・アクセス時間が２０ｎｓと短い２８８ＭビットＮｅｔｗｏｒｋ ＦＣＲＡＭ「ＴＣ５９ＬＭ８１８ＤＭＢ−３０」を発売した。ネットワーク機器に向ける。最大動作周波数は３３３ＭＨｚで，クロック信号の両エッジに同期することで１端子当たりの最大データ転送速度を６６６Ｍビット／秒に高めた。語構成は４Ｍ語×４バンク×１８ビット。電源電圧は＋２．５Ｖ±０．１２５Ｖである。０．１３μｍ技術で製造する。Ｔ…
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