Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜フラッシュＥＥＰＲＯＭ 多値技術で高密度化を加速 ＮＡＮＤは４Ｇ，ＮＯＲは２５６Ｍ
日経エレクトロニクス 第834号 2002.11.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第834号（2002.11.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全2139字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （52kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51ページ目 |
カメラ付き携帯電話機，動画も記録できるデジカメなど，急速な市場拡大を続ける携帯機器への採用を狙い，１つのメモリ・セルに２ビットを格納する，多値技術を採用したＮＯＲ型／ＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭの製品化や技術開発が活発になってきた。従来に比べて，低コスト化のペースを加速させる。 ＮＯＲ型では，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．とＮＥＣがそれぞれ２ビット／セルの多値技術を使った２５６Ｍビットの製品を発表…
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