New Products〜NAND型フラッシュEEPROM 0.09μmルールで2Gビットを実現
日経エレクトロニクス 第833号 2002.10.21
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第833号(2002.10.21) |
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ページ数 | 1ページ (全291字) |
形式 | PDFファイル形式 (92kb) |
雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.は,業界で初めて2GビットのNAND型フラッシュEEPROMのサンプル出荷を始めた。同LSIを4つ使えば1Gバイトのメモリ・カードを構成できる。0.09μmルールのCMOS製造技術を使い,セル面積を0.05μm2に縮小した。素子分離技術としては新たにSSA−STi(Sacrificial Self Align Shallow Trench…
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