New Products〜携帯電話機向けSRAM +1.6V〜+3.6Vで動作する8Mビット品
日経エレクトロニクス 第828号 2002.8.12
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第828号(2002.8.12) |
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ページ数 | 1ページ (全265字) |
形式 | PDFファイル形式 (69kb) |
雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
米Integrated Silicon Solution,Inc.は,電源電圧が+1.6V〜+3.6Vと幅広い8Mビットの非同期式SRAM「IS62WV51216ALL」を発売した。携帯電話機などに向ける。語構成は512K×16ビット。アクセス時間は最小45nsである。待機時と動作時の消費電流はそれぞれ,10μAと15mA。44ピンのTSOPや36端子のBGAなどに封止。1M×8ビット構成の品種も…
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