Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜ＴＩ社がＦｅＲＡＭで攻勢 他社に５年先行図る
日経エレクトロニクス 第828号 2002.8.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第828号（2002.8.12） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全4452字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （107kb） |
| 雑誌掲載位置 | 30〜31ページ目 |
ＭＲＡＭ，強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）など，フラッシュＥＥＰＲＯＭにない特徴を備えた次世代の不揮発性メモリの開発競争が熱を帯びてきた。ＳＲＡＭに匹敵する書き込み速度や１０１２回以上の書き換え可能回数などが売り物だ。ここにきて，論理ＬＳＩへの混載を狙う米国の半導体メーカーが低コスト化を加速させる方針を打ち出した。例えば２００４年にＭＲＡＭの量産を始める米Ｍｏｔｏｒｏｌａ，Ｉｎｃ．は，その時点でＮＯ…
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