Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜電源用ＭＯＳ　ＦＥＴ　ＩＣ　オン抵抗を同社従来比２５％低減
日経エレクトロニクス　第826号　2002.7.15

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第826号（2002.7.15）
ページ数	1ページ　（全275字）
形式	PDFファイル形式　（89kb）
雑誌掲載位置	55ページ目

米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ　Ｃｏｒｐ．は，ｐチャネル型ＭＯＳ　ＦＥＴを２個内蔵した電源ＩＣ「ＩＲＦ７７５４」を発売した。オン抵抗を同社従来比で最大２５％低減した。ゲート電圧が−１．８Ｖ，−２．５Ｖ，−４．５Ｖにおけるオン抵抗はそれぞれ４９ｍΩ，３４ｍΩ，２５ｍΩである。８ピンのＴＳＳＯＰに封止する。ドレイン−ソース間電圧は最大１２Ｖ。ＭＰ３プレーヤ，携帯電話機，デジタル・カメ…