Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ｎチャネル型パワーＭＯＳ　ＦＥＴ　従来品に比べてオン抵抗を約４０％削減
日経エレクトロニクス　第825号　2002.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第825号（2002.7.1）
ページ数	1ページ　（全212字）
形式	PDFファイル形式　（95kb）
雑誌掲載位置	57ページ目

日立製作所は，サーバやノート・パソコンなどに向けるｎチャネル型パワーＭＯＳ　ＦＥＴを２品種発売した。同社従来品に比べてオン抵抗を約４０％削減した「ＨＡＴ２１６４Ｈ」と，速度を約４５％向上した「ＨＡＴ２１６５Ｈ」である。いずれも耐圧は３０Ｖで，＋４．５Ｖで駆動する。実装面積は８ピンのＳＯＰと同じ。ＴＥＬ（０３）５２０１−５１９１サンプル価格はいずれも２００円サンプル出荷中ｗｗｗ．ｈｉｔａｃｈｉ．ｃｏ…