Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜性能を犠牲にせずにコストは１／３ 物理的な多値化で実現
日経エレクトロニクス 第823号 2002.6.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第823号（2002.6.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1023字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （77kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
米ＡＭＤ，Ｉｎｃ．は，多値フラッシュＥＥＰＲＯＭ技術「ＭｉｒｒｏｒＢｉｔ（ＭＢ）」に準拠した初めてのＮＯＲ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ「Ａｍ２９ＬＶ６４０Ｍ」を開発した。容量は６４Ｍビット。ＭＢ方式の最大の特徴は，読み出し・書き込み・消去時の性能を犠牲にせずに，製造コスト（１ビット当たり）を従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭの１／３に削減できる点注１）。メモリ・セル内の物理的に異なる２つの場所に１ビットず…
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