Ｇｕｅｓｔ Ｐａｐｅｒ〜低電力・大容量の ＦｅＲＡＭを安価に実現
日経エレクトロニクス 第822号 2002.5.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第822号（2002.5.20） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全20856字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （553kb） |
| 雑誌掲載位置 | 137〜148ページ目 |
「外観」は，Ｐｔ上に形成したＢＩＴ膜およびＢＳＯ添加ＢＩＴ膜を５００℃でアニールした後の表面写真である。「断面図」は，ＢＩＴ膜およびＢＳＯ添加ＢＩＴ膜をそれぞれＰｔ上に成膜したもの。１９９０年代前半に夢のメモリとして実用化された強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）。フラッシュＥＥＰＲＯＭやＤＲＡＭに比べて消費電力が低い点を売りに，非接触ＩＣカードや携帯機器などに向けた積極的な製品化が相次いでいる。こうした…
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