Ｓｅｌｅｃｔｅｄ　Ｓｈｏｒｔｓ〜　２００３年量産の０．０９ｎｍ技術をＩｎｔｅｌ社が発表　ＳＲＡＭセル面積は業界最小の１ｎｍ２
日経エレクトロニクス　第818号　2002.3.25

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第818号（2002.3.25）
ページ数	1ページ　（全522字）
形式	PDFファイル形式　（162kb）
雑誌掲載位置	36ページ目

　米Ｉｎｔｅｌ社は，２００３年に量産を始める０．０９ｎｍルールのＣＭＯＳ製造技術の概要を公表した。ゲート長は５０ｎｍを下回る。微細加工技術の指標となるＳＲＡＭ（６トランジスタ構成）のメモリ・セル面積は１ｎｍ２と，業界最小だ。同社はこれまで，製造技術の進歩に伴い，ＳＲＡＭセル面積を年率約３０％ずつ削減してきた。今回（０．０９ｎｍ）は，ＳＲＡＭセル面積縮小のペースを加速させ，前年（０．１３ｎｍ）に比べ…