Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パッケージ上面の熱抵抗を約１／５に低減 バック・コンバータの基板面積を半減可能に
日経エレクトロニクス 第816号 2002.2.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第816号（2002.2.25） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全736字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （69kb） |
| 雑誌掲載位置 | 48ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は，放熱性を高めたＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ６６ｘｘシリーズ」を発売した。同社独自の「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ」を採用し，パッケージ上面の熱抵抗を約１／５に低減したことが特徴。例えばＳＯ−８パッケージと比べた場合「５５℃／Ｗ程度だったＳｉチップと大気間の熱抵抗を１２℃／Ｗ以下に低減できる」（同社）という。パッケージ下面に当たるチップとプリ…
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