Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜またもや３次元のメモリ ソニーがＦｅＲＡＭで実現へ
日経エレクトロニクス 第816号 2002.2.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第816号（2002.2.25） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3926字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （82kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜29ページ目 |
「昨今，国内半導体メーカーが提案するメモリは従来の改良版ばかりで面白くない。日本発のスケールの大きな不揮発性メモリを目指した」（ソニー）。同社がこう豪語するのは，２００２年２月の半導体国際会議「ＩＳＳＣＣ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）２００２」で発表した強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）技術「Ｑ−Ｍａｔｒｉｘメモリ」である。 最大の特徴は…
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