Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ケータイ向けパワー・アンプもＳｉＧｅで
日経エレクトロニクス 第815号 2002.2.11
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第815号（2002.2.11） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全268字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （95kb） |
| 雑誌掲載位置 | 50ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，ＳｉＧｅ技術を使った携帯電話機向けパワー・アンプ・モジュール「ＩＢＭ ２０２２」を発売した。動作温度範囲は−３０℃〜＋８５℃。ＧａＡｓ技術を利用した製品に比べて低温での動作特性が高いとする。ＴＤＭＡ／ＡＭＰＳ方式向け。ＴＤＭＡでの平均出力値は＋２９．５ｄＢｍで電力付加効率は４０％。このほかＣＤＭＡ方式向けの「ＩＢＭ ２０１８」と，ＰＣＳ向けの「ＩＢＭ ２０１７」もサンプル出…
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