Ｌｅａｄｉｎｇ Ｔｒｅｎｄｓ〜 ２００ＧＨｚを超えたＳｉＧｅが 見せつけるＳｉの底力
日経エレクトロニクス 第813号 2002.1.14
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第813号（2002.1.14） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全15011字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （237kb） |
| 雑誌掲載位置 | 57〜66ページ目 |
高速バイポーラ技術によるＳｉＧｅ ＩＣを米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．が発売したのは１９９８年。その後，日立製作所やドイツＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧなど１０社超のメーカーが追随した。競争が過熱し，２００１年の「ＩＥＤＭ」は高性能ＳｉＧｅ技術の発表が相次いだ。 米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．が世界最高速を達成すれば，その１週間後に米ＡＭＤ，Ｉｎｃ．があっさりと記録を更新する。将来のマイクロプロ…
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