Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜現行フラッシュは０．０６５ｎｍまで 米Ｉｎｔｅｌ社のフラッシュ開発責任者に聞く
日経エレクトロニクス 第812号 2002.1.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第812号（2002.1.7） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全678字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （133kb） |
| 雑誌掲載位置 | 41ページ目 |
−−ＮＯＲ型フラッシュＥＥＰＲＯＭの微細化は今後どこまで進むのか。 Ｌａｉ氏 少なくとも今後４年間は今までと同等のペースで低コスト化が進む。我々はこれまでプロセス技術を１世代進めるごとにチップ・コストを５０％削減し続けてきた。２００５年末に量産を開始する０．０６５ｎｍプロセスではセル面積を現在の１／４に相当する約０．０４ｎｍ２に縮小する見通しだ。ここまでは現在と同じプレーナ型のセル構造で達成でき…
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