Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ＵＣＳＢ教授の中村氏 古巣の日亜化学工業を提訴
日経エレクトロニクス 第812号 2002.1.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第812号（2002.1.7） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全262字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （144kb） |
| 雑誌掲載位置 | 43ページ目 |
ＧａＮ系発光素子の開発者である米Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｓａｎｔａ Ｂａｒｂａｒａ校教授の中村修二氏は，日亜化学工業を２００１年８月２３日に東京地方裁判所に提訴した。同氏は，日亜化学在籍中に出願し，成立したＧａＮ系発光素子の基本特許の特許権が中村氏にあることを認めるように求めている。判決は早くても２００２年の夏ころになりそう。（８／２３）関連記事：９月１０日号，ｐｐ． …
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