Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜２ビット／セルの多値技術を使う
日経エレクトロニクス 第810号 2001.12.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第810号（2001.12.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全297字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （136kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51ページ目 |
東芝は，多値技術を使った１ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ「ＴＣ５８０１０ＦＴ」を発売した。０．１６ｎｍプロセスで製造する。電源電圧は＋２．７Ｖ〜＋３．６Ｖ。ページ・サイズは５２８バイト。書き込み時間はページ当たり１ｍｓ。読み出し時間は，最初のアクセスが５０ｎｓ，シリアル・アクセスが５０ｎｓ。この１ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュを２個積層した２Ｇビット品「ＴＨ５８０２０ＦＴ」も用意する。ＴＥ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全297字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ＨｙｐｅｒＴｒａｎｓｐｏｒｔのスイッチＬＳＩ 伝送容量は４ポートで１０２．４Ｇビット／秒
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ＤＶＤ−Ｒ／−ＲＷ／ＲＡＭに対応 バックエンドＬＳＩを新開発
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜×３２構成の１２８Ｍビット品
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜アクセス時間が７０ｎｓと短い
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜実装面積が９ｍｍ×１１ｍｍで１６Ｍバイト
