Ｇｕｅｓｔ Ｐａｐｅｒ〜不揮発性メモリ「ＮＲＯＭ」 ＭＯＮＯＳ構造と多値化で 製造コストを半減
日経エレクトロニクス 第808号 2001.11.5
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第808号（2001.11.5） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全14131字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 119〜128ページ目 |
「次世代不揮発性メモリの最有力候補は何か」。複数の有識者が登壇し，激論が交わされた２００１年８月の不揮発性メモリ国際会議「ＮＶＳＭＷ」のパネル・セッションで，その座を勝ち取ったのはＭＲＡＭでも相変化メモリでもなかった。イスラエルＳａｉｆｕｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ Ｌｔｄ．が開発した「ＮＲＯＭ」と呼ばれる新型フラッシュＥＥＰＲＯＭだ。同一の設計ルールで比べると，現行のフラッシュＥＥＰＲＯＭの…
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