Ｌｅａｄｉｎｇ　Ｔｒｅｎｄｓ〜フラッシュ１５年目の決断　セル構造見直し，低コストで勝つ
日経エレクトロニクス　第804号　2001.9.10

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第804号（2001.9.10）
ページ数	8ページ　（全11951字）
形式	PDFファイル形式　（221kb）
雑誌掲載位置	57〜64ページ目

　揮発から不揮発へ。半導体メモリのパラダイム・シフトが急速に進んでいる。新たな主役はフラッシュＥＥＰＲＯＭ。「市場規模は２００１年にＤＲＡＭと肩を並べ，２００２年〜２００３年にはＤＲＡＭを上回りそうだ」（Ｊ．Ｐ．モルガン証券　マネージングディレクター　株式調査部長　シニアアナリストの若林秀樹氏）。　メモリの不揮発化が進む最大の理由は，用途の変化である。メモリの主な消費先が従来のパソコンからデジタル…